硅-放大型-可调增益
2024/05/31
硅(si)自由空间型带放大的光电探测器, 由硅(si)光电二极管+可调增益放大器集成封装而成。光灵敏范围从紫外到近红外, 典型光谱范围覆盖 190nm~1100nmo PDA 系列带放大的光电探测器内置低噪声跨阻放大器(TIA)或低噪声TIA后接电压放大器。 本产品信号系列属于可调增益的版本, 具备八个定量增益档位, 满足您不同光强条件下的光电探测应用开发。
产品参数：
产品型号 | BOS100A2 | BOS36A2 | BOSmount | |||
信号特性 | ||||||
波长范围 | 320nm~1100nm | 190nm~1100nm | 放大型可调增益底座, 兼容各种硅(si)光电二极管 | |||
宽带范围 | DC~11MHZ | DC~12MHZ | DC~12MHZ | |||
增益 GAIN | Hi-Z 负载 | 50Ω负载 | Hi-Z 负载 | 50Ω负载 | Hi-Z 负载 | 50Ω负载 |
1.51KV/A~4.75 MV/A | 0.75KV/A~2.38 MV/A | 1.51KV/A~4.75 MV/A | 0.75KV/A~2.38 MV/A | 1.51KV/A~4.75 MV/A | 0.75KV/A~2.38 MV/A | |
信号幅值 | 0~10V | 0~5V | 0~10V | 0~5V | 0~10V | 0~5V |
增益调节方式 | 旋钮档位式调节, 0~70dB, 每 10dB一档, 共88档。 带宽与增益成反比。 | |||||
NEP | 2.67~71.7pw/HZ1/2 | 3.25~75.7pw/HZ1/2 | NEppd*GAIN | |||
有效探测面积 | 75.4mm2 Φ9.8mm | 13mm2 3.6mmx3.6mm | 从1mm到48mm各种尺寸探测器可供选择 | |||
环境参数 | ||||||
供电电源 | LDS12B(DP), ±12VDC稳压线性电源, 6W, 220VAC (需单独购买) | |||||
工作温度 | 10~40℃ | |||||
存储温度 |
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环境参数 | ||||||
供电接口 | LUMBER G RSMV3- FAMALE | |||||
供电开关 | 滑动开关 | |||||
信号接口 | BNC母座 | |||||
增益调节 | 8档旋钮 | |||||
支杆接口 | M4X2 | |||||
光学接口 | SM1X1 , SM0.5X1 | |||||
外观尺寸 | 2.79"x2.07"x0.89"(70.9mmx52.5mmx22.5mm) | |||||
光敏面深度 | 0.13" (3.3mm) | |||||
探测器净重 | 0.10kg | |||||
